近日，中科院大連化學物理研究所徐恒泳研究員領導的烴類選擇氧化研究組（801組）和大連華海制氫設備有限公司共同研發的金屬鈀復合膜氫氣純化裝置工作取得重要進展，在四川峨眉半導體材料研究所完成了200 m³/h規模工業化示范。該技術徹底解決了多晶硅生產循環氫氣中痕量和超痕量雜質難以去除的難題。

2月25日，該工業化示范裝置在峨嵋半導體材料研究所一次性開車成功，通過對循環氫氣進行純化，氫氣純度達到99.9999%以上，實現了合同的預期要求。截至6月3日，期間因其他原因曾歷經兩次開停車，共進行了56天穩定試驗。

在多晶硅的生產過程中，原料SiHCl₃會帶進各種超痕量金屬雜質（ppb級），特別是BCl₃和PCl₃等以B和P的形式，在多晶硅上沉積會對產品質量產生很大影響；另外，由于各種原因還會帶進CH₄， O₂，N₂，H₂O等痕量雜質（ppm級），均會影響多晶硅產品質量。受吸附平衡和相平衡的限制，傳統變壓吸附和深冷技術難以對這些痕量和超痕量雜質進一步脫除。金屬鈀復合膜則通過完全不同的機理，對這些雜質進行有效攔截，使得各種雜質含量降低百倍以上，可以明顯提高多晶硅產品純度和質量。該技術是我所經過多年努力，在國內外率先實現產業化的專利技術，這對于多晶硅生產具有重要的意義。

現場示范結果還表明，通過對循環氫氣進行純化，僅有的兩批采用合成SiHCl₃生產的多晶硅，質量均達到了電子級的標準；對于循環氫氣中含量有時會突然增大的甲烷或者氮氣，本純化裝置可以不斷將這些雜質從體系去除，經過十幾小時的運轉，使大循環體系的氫氣質量得到明顯改善，甲烷和氮氣含量恢復正常值；采用純化后的氫氣生產多晶硅，產品中金屬B和P的含量相對穩定，說明該純化器可以為多晶硅穩定生產發揮保障作用。

該技術可應用于我國幾十家多晶硅企業提升多晶硅生產技術，這對于推動電子信息、半導體、LED照明和光伏發電等戰略性新興產業發展具有重要的意義。